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參數(shù)資料
| 型號： | BU506 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon diffused power transistors |
| 中文描述： | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | BU506 |
1997 Aug 13
5
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BU506; BU506D
Fig.7
Base-emitter saturation voltage as a
function of base current; typical values.
(1) I
C
= 3 A.
(2) I
C
= 2 A.
(3) I
C
= 1 A.
T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0.5
10
1
1
10
MGB881
1
VBEsat
(V)
IB (A)
(1)
(2)
(3)
Fig.8 DC current gain; typical values.
handbook, halfpage
10
2
10
1
1
2
10
1
hFE
IC (A)
10
MGB874
(1)
(2)
(1) V
CE
= 1 V; T
j
= 25
°
C.
(2) V
CE
= 5 V; T
j
= 125
°
C.
Fig.9 Switching time waveforms.
handbook, halfpage
MBH382
time
time
IB (end)
10%
90%
ts
tf
iC
ICsat
iB
Fig.10 Diode forward voltage.
T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
IF
(A)
0.6
1
1.8
0
MGB906
1.4
1
2
3
4
VF (V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU506D | Silicon diffused power transistors |
| BU5071 | |
| BU508AD | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218AC |
| BU508DR | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218VAR |
| BU508FI | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-218 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU-506 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述: |
| BU506-1 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:2 BUSHING,RGD/IMC,NM,INSUL,EA |
| BU506D | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors |
| BU506DF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors |
| BU506F | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
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