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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU4550AL |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 25 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, FULL PACK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 20K |
| 代理商： | BU4550AL |
Philips Semiconductors
Objective specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU4550AL
STATIC CHARACTERISTICS
T
mb
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
CES
Collector cut-off current
2
I
CES
CONDITIONS
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
V
= 7.5 V; I
C
= 0 A
I
B
= 1 mA
I
C
= 20 A; I
B
= 5 A
I
C
= 20 A; I
B
= 5 A
I
C
= 1A; V
= 5 V
I
C
= 20 A; V
CE
= 5 V
MIN.
-
-
TYP.
-
-
MAX.
1.0
2.0
UNIT
mA
mA
I
BV
EBO
V
CEsat
V
BEsat
h
FE
h
FE
Emitter cut-off current
Base-emitter breakdown voltage
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current gain
-
-
1.0
-
3.0
1.0
-
6.5
mA
V
V
V
7.5
-
t.b.f
-
4.2
14
-
-
t.b.f
5.35
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
mb
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
Switching times (32 kHz line
deflection dynamic test circuit).
t
s
Turn-off storage time
t
f
Turn-off fall time
Switching times (130 kHz line
deflection dynamic test circuit).
t
s
Turn-off storage time
t
f
Turn-off fall time
CONDITIONS
I
Csat
= 20 A;I
B1
= 4 A; (I
B2
= -10A)
TYP.
MAX.
UNIT
t.b.f
t.b.f
t.b.f
t.b.f
μ
s
μ
s
I
Csat
= 8 A;I
B1
= 1.6 A; (I
B2
= -4.8A)
t.b.f
t.b.f
t.b.f
t.b.f
μ
s
μ
s
2
Measured with half sine-wave voltage (curve tracer).
January 1998
2
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU505DF | Silicon diffused power transistors |
| BU505F | Silicon diffused power transistors |
| BU505 | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU505D | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU506F | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU4551B | 功能描述:多路器開關(guān) IC QUAD MUX/DEMUX RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 開關(guān)數(shù)量:4 開啟電阻（最大值）:7 Ohms 開啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 傳播延遲時(shí)間:0.25 ns 工作電源電壓:2.3 V to 3.6 V 工作電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UQFN-16 |
| BU4551B/BF/BFV | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Standard LSIs |
| BU4551B-E2 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:High Voltage CMOS Logic ICs |
| BU4551BF | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:High Voltage CMOS Logic ICs |
| BU4551BF-E2 | 功能描述:多路器開關(guān) IC QUAD MUX/DEMUX RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 開關(guān)數(shù)量:4 開啟電阻（最大值）:7 Ohms 開啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 傳播延遲時(shí)間:0.25 ns 工作電源電壓:2.3 V to 3.6 V 工作電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UQFN-16 |
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