參數(shù)資料
型號(hào)： BU406D
廠商： Boca Semiconductor Corp.
英文描述： NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： NPN電源晶體管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： BU406D
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BU406D NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE SWITCHING USE IN HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT STAGE)
BU408D POWER TRANSISTORS(7A,150-200V,60W)
BU406D POWER TRANSISTORS(7A,150-200V,60W)
BU407H POWER TRANSISTORS(7A,150-200V,60W)
BU426 POWER TRANSISTORS(6.0A,375-400V,113W)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BU406F 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistors
BU406FI 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistors
BU406G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 200V 60W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BU406H 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor
BU406HTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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