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參數(shù)資料
| 型號： | BU2727A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 12 A, 825 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | BU2727A |
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2727A
Fig.7. DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
Parameter T
(Low and high gain)
Fig.8. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CEsat
= f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.9. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BEsat
= f (I
B
); parameter I
C
Fig.10. Normalised power dissipation.
PD% = 100
PD/PD 25C = f (T
mb
)
Fig.11. Transient thermal impedance.
Z
th
j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
hFE
BU2727A/AF
IC / A
VCE = 1 V
Tmb = 25 C
Tmb = 85 C
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
BU2727A/AF
VCEsat / V
Tmb = 85 C
Tmb = 25 C
IC/IB = 12
IC/IB = 5
IC / A
1E-06
1E-04
1E-02
1E+00
t / s
Zth / (K/W)
BU2525A
D = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
0.1
0.01
0.001
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
1
2
3
4
0.6
0.7
0.8
0.9
1
VBEsat / V
BU2727A/AF
IB / A
IC = 6 A
4 A
Tmb = 85 C
Tmb = 25 C
September 1997
4
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2730AL | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2730 | Silicon Diffused Power Transistor |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BU2727AX | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2727DF | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BU2727DX | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
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