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參數(shù)資料
| 型號： | BU2720DF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 10 A, 825 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-399, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | BU2720DF |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2720DF
Fig.7. DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
Parameter T
(Low and high gain)
Fig.8. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CEsat
= f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.9. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BEsat
= f (I
B
); parameter I
C
Fig.10. Limit P
; T
= 85C
P
tot
= f (I
B(end)
); I
C
= 4.5 A; f = 16 kHz
Fig.11. Limit P
; T
= 85C
P
tot
= f (I
B(end)
); I
C
= 5.5 A; f = 16 kHz
Fig.12. Limit storage and fall time.
t
s
= f (I
B
); tf = f (I
B
); Parameter I
C
; T
j
= 85C; f = 16 kHz
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
Ths = 25 C
Ths = 85 C
VCE = 1 V
hFE
BU2720/22AF
IC / A
0
0.5
1.0
1.5
2.0
1
10
PTOT / W
BU2720AF
IB / A
IC = 4.5 A
f = 16 kHz
Tj = 85 C
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
Tj = 85 C
Tj = 25 C
IC/IB = 8
IC/IB = 4
VCEsat / V
BU2720AF
IC / A
0.5
1
1.5
2
2.5
1
10
PTOT / W
BU2720AF
IB / A
IC = 5.5 A
f = 16 kHz
Tj = 85 C
0
0.5
1
1.5
2
0.6
0.7
0.8
0.9
1
Tj = 25 C
Tj = 85 C
IC = 5.5 A
4.5 A
VBEsat / V
BU2720AF
IB / A
0.5
1
1.5
2
2.5
0
2
4
6
8
10
12
ts/tf / us
BU2720AF
IC = 5.5 A
IC = 4.5 A
IB / A
September 1997
4
Rev 1.300
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2720DX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2722AF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2722 | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2722AX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2722DF | Silicon Diffused Power Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BU2722AF | 制造商:JMNIC 制造商全稱:Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 功能描述:Silicon Power Transistors |
| BU2722AX | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| BU2722DF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
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