參數(shù)資料
型號(hào)： BU2525AW
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： INDUCTOR 1UH LOW PROFILE HIGH CURRENT
中文描述： 12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
封裝： PLASTIC, SOT-429, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大小： 74K
代理商： BU2525AW
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2525AW
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 5 g
Fig.16. SOT429; pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Refer to mounting instructions for SOT429 envelope.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
5.3
4.0
max
21
max
15.5
min
1
2.2 max
3.2 max
0.4
2.5
0.9 max
5.3 max
3.5
16 max
5.45
seating
plane
5.45
M
o
15.5
max
2
3
1.1
3.5
max
1.8
7.3
September 1997
6
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BU2525AX Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
BU2525A High Current Inductor; Inductor Type:High Frequency; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:+/- 20 %; Current Rating:15.5A; Series:IHLP-2525CZ; Package/Case:PCB Surface Mount; Mounting Type:Surface Mount; Packaging:Tape And Reel RoHS Compliant: Yes
BU2525DF Silicon Diffused Power Transistor
BU2525DW Silicon Diffused Power Transistor
BU2525DX Silicon Diffused Power Transistor
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參數(shù)描述
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