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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU2520DF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| 中文描述： | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-199, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | BU2520DF |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2520DF
Fig.7. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.8. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.9. Typical turn-off losses.T
= 85C
Eoff = f (I
B
); parameter I
C
; parameter frequency
Fig.10. Typical collector storage and fall time.
ts = f (I
B
); tf = f (I
B
); parameter I
C
; T
j
= 85C; f = 16 kHz
Fig.11. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
= f (T
hs
)
Fig.12. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
0
1
2
3
4
IB / A
VBESAT / V
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC=
8 A
6 A
5 A
4 A
0.1
1
10
IB / A
ts, tf / us
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
ts
tf
IC =
6 A
5 A
0.1
1
10
IB / A
VCESAT / V
10
1
0.1
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC = 4 A
5 A
6 A
8 A
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
with heatsink compound
0.1
1
10
IB / A
Eoff / uJ
1000
100
10
IC = 6 A
5 A
1E-06
1E-04
1E-02
1E+00
t / s
Zth / (K/W)
D = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
10
1
0.1
0.01
0.001
September 1997
4
Rev 1.400
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2520DW | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU2520DX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BU2520DX | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TOP-3D NPN 800V 10A 45W BCE |
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| BU2522A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2522AF | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
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