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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU2520D |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | BU2520D |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2520D
Fig.3. Switching times test circuit
Fig.4. Typical DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
parameter V
CE
Fig.5. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.6. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.7. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.8. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
B
); parameter I
C
+ 150 v nominal
adjust for ICM
Lc
Cfb
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
Rbe
0.1
10
IC / A
VCESAT / V
BU2520D
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
100
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC/IB =
4
5
3
0.1
10
IC / A
hFE
BU2520D
100
10
1
100
1
Tj = 25 C
Tj = 125 C
1 V
5 V
0
1
2
3
4
IB / A
VBESAT / V
BU2520D
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC=
8 A
6 A
5 A
4 A
0.1
1
10
IC / A
VBESAT / V
BU2520D
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC/IB=
3
4
5
0.1
1
10
IB / A
VCESAT / V
BU2520D
10
1
0.1
Tj = 25 C
Tj = 125 C
IC = 4 A
5 A
6 A
8 A
November 1995
3
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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| BU2522 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2522A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
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