參數(shù)資料
型號(hào)： BTW68-1000
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH SURGE CAPABILITY
中文描述： 高浪涌能力
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 80K
代理商： BTW68-1000
Fig.3 :
Maximum average power dissipation versus
average on-state current (BTW 68 N).
Fig.4 :
Correlation between maximum average power
dissipation and maximum allowable temperatures (Tamb
and Tcase) for different thermal resistances heatsink +
contact (BTW 68 N).
Fig.1 :
Maximum average power dissipation versus
average on-state current (BTW 68).
Fig.2 :
Correlation between maximum average power
dissipation and maximum allowable temperatures (Tamb
and Tcase) for different thermal resistances heatsink +
contact (BTW 68).
Package
IT(RMS)
A
30
VDRM/ VRRM
V
200
400
600
800
1000
1200
600
800
1000
1200
Sensitivity Specification
BTW
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
BTW 68
(Insulated)
BTW 68 N
(Uninsulated)
35
BTW 68 (N)
3/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTW681200 HIGH SURGE CAPABILITY
BTW68-1200 HIGH SURGE CAPABILITY
BTW68200 HIGH SURGE CAPABILITY
BTW68-200 HIGH SURGE CAPABILITY
BTW68400 HIGH SURGE CAPABILITY
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參數(shù)描述
BTW68-1000RG 功能描述:SCR 30 Amp 1000 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BTW681200 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SURGE CAPABILITY
BTW68-1200 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SURGE CAPABILITY
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BTW68-1200RG 功能描述:SCR 30 Amp 1200 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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