參數(shù)資料
型號: BTW 69 (N)
廠商: 意法半導體
英文描述: SCR(硅控整流器)
中文描述: 可控硅(硅控整流器)
文件頁數(shù): 4/5頁
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代理商: BTW 69 (N)
Fig.8 :
Relative variation of gate trigger current versus
junction temperature.
Fig.9 :
versus number of cycles.
Non repetitive surge peak on-state current
Fig.5
temperature (BTW 69).
:
Average
on-state
current
versus
case
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
0.01
0.10
1.00
Zth/Rth
Zth(j-c)
Zth(j-a)
tp(s)
Fig.7 :
Relative variation of thermal impedance versus
pulse duration.
Fig.6
temperature (BTW 69 N).
:
Average
on-state
current
versus
case
Fig.10 :
Non repetitive surge peak on-state current for a
sinusoidal
pulse
with
width
corresponding value of I2t.
:
t
10
ms,
and
BTW 69 (N)
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