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參數(shù)資料
| 型號： | BTS6510B |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 單外設驅(qū)動 |
| 文件頁數(shù)： | 4/16頁 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | BTS6510B |
Data Sheet BTS650P
Infineon Technologies AG
Page 4
2000-Mar-24
Parameter and Conditions
at
T
j
=
-40 ... +150
°C,
V
bb
=
12
V unless otherwise specified
Symbol
Values
typ
Unit
min
max
Inverse Load Current Operation
On-state resistance
(Pins 1,2,6,7 to pin 4)
V
bIN
=
12 V,
I
L
=
-
20
A
see diagram on page 10
Nominal inverse load current
(Pins 1,2,6,7 to Tab)
V
ON
=
-0.5
V,
T
c =
85
°C
11
Drain-source diode voltage
(V
out
> V
bb
)
I
L
=
-
20
A,
I
IN
= 0,
T
j
=
+150°C
T
j
=
25
°C:
T
j
=
150
°C:
R
ON(inv)
--
4.4
7.9
70
6.0
10.5
m
I
L(inv)
55
--
A
-
V
ON
--
0.6
--
V
Operating Parameters
Operating voltage (
V
IN
=
0)
9, 13
)
Undervoltage shutdown
14
)
Undervoltage start of charge pump
see diagram page
15
Overvoltage protection
15
)
I
bb
=
15
mA
Standby current
I
IN
=
0
V
bb(on)
V
bIN(u)
5.0
1.5
--
34
4.5
V
V
3.0
V
bIN(ucp)
V
bIN(Z)
3.0
60
62
4.5
6.0
V
V
T
j
=-40°C:
T
j
=
25...+150°C:
T
j
=-40...+25°C:
T
j
=
150°C:
--
66
15
25
--
--
I
bb(off)
--
--
25
50
A
13
)If the device is turned on before a V
bb
-decrease, the operating voltage range is extended down to
V
bIN(u)
.
For all voltages 0 ... 34 V the device is fully protected against overtemperature and short circuit.
14
)V
bIN
= V
bb
-
V
IN
see diagram on page 7. When
V
bIN
increases from less than V
bIN(u)
up to
V
bIN(ucp)
= 5
V
(typ.) the charge pump is not active and
V
OUT
V
bb
-
3
V.
15
)
See also
V
ON(CL)
in circuit diagram on page 9.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTS660-P | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS711-L1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS711L1Q67060-S7000-A2 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS712-N1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS721-L1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTS660P | 功能描述:SWITCH HGH SIDE CURRNT TO220-7-3 RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關 系列:PROFET® 標準包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應商設備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) |
| BTS660-P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?9mOhm - Vbb(on) = 5V-58V - TO220-7-3? |
| BTS660P E3180A | 功能描述:IC SWITCH PWR HISIDE TO220-7 SMD RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關 系列:PROFET® 標準包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應商設備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) |
| BTS660PE3180A | 功能描述:電源開關 IC - POE / LAN Smart High Side High Current PROFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關數(shù)量:Single 開關配置:SPST 開啟電阻（最大值）:7.3 Ohms 串話: 帶寬: 開啟時間（最大值）:13 ns 關閉時間（最大值）:20 ns 切換電壓（最大）: 工作電源電壓:8 V to 26 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220F-6 |
| BTS660P-E3180A | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Power Switch Hi Side 38A 8-Pin(7+Tab) TO-220 SMD T/R |
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