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參數資料
| 型號： | BTB40-600B |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 40A TRIACS |
| 中文描述： | 40A條雙向可控硅 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | BTB40-600B |
BTA40 and BTA/BTB41 Series
4/6
Fig. 3:
Relative variation of thermal impedance
versus pulse duration.
Fig.
values).
4:
On-state
characteristics
(maximum
Fig. 5:
Surge peak on-state current versus
number of cycles.
Fig. 6:
current
tp < 10 ms, and corresponding value of I t.
Non-repetitive surge
for
a
sinusoidal
peak on-state
pulse
with
width
Fig. 7:
Relative variation of gate trigger current,
holding current and latching current versus
junction temperature (typical values).
Fig. 8:
Relative variationofcritical rate ofdecrease
of main currentversus(dV/dt)c(typical values).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
tp (s)
K=[Zth/Rth]
Zth(j-c)
Zth(j-a)
BTA/BTB41
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
1
10
100
400
VTM (V)
ITM (A)
Tj=25
°
C
Tj max
Tj max.:
Vto = 0.85V
Rd = 10m
1
10
100
1000
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
Number of cycles
ITSM (A)
Non repetitive
°
C
Repetitive
Tc=70
°
C
One cycle
t=20ms
0.01
0.10
1.00
10.00
100
1000
3000
tp (ms)
ITSM (A),
I t
(A s)
Tj initial=25
°
C
ITSM
I t
dI/dt limitation:
50A/
μ
s
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Tj(
°
C)
IGT,IH,IL[Tj]/ IGT,IH,IL [Tj=25
°
C]
IGT
IH & IL
0.1
1.0
10.0
100.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
(dV/dt)c (V/
μ
s)
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTB40-800B | 40A TRIACS |
| BTW 68 (N) | SCR(硅控整流器) |
| BTW 69 (N) | SCR(硅控整流器) |
| BTW66 | SCR(硅控整流器) |
| BTW67 | 50A SCRs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BTB40-600BRG | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:40A TRIACs |
| BTB40-700A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|TRIAC |
| BTB40-800 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:40A TRIACS |
| BTB40-800B | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:40 A standard TRIACs |
| BTB40-800BRG | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:40 A standard TRIACs |
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