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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BTB24B |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Standard Triacs(標(biāo)準(zhǔn)雙向可控硅) |
| 中文描述： | 標(biāo)準(zhǔn)雙向（標(biāo)準(zhǔn)雙向可控硅） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | BTB24B |
0
25
50
75
100
125
0
5
10
15
20
25
30
IT(rms)(A)
Tcase(°C)
α
= 180°
Fig. 3:
RMS on-state current versus case temperature.
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
0.01
0.10
1.00
K=[Zth/Rth]
Zth(j-c)
Zth(j-a)
tp(s)
Fig. 4:
Relative variation of thermal impedance versus
pulse duration.
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IGT,IH[Tj] / IGT,IH[Tj=25°C]
IGT
IH
Tj(°C)
Fig. 5:
Relative variation of gate trigger current and
holding current versus junction temperature (typical
values).
1
10
100
1000
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
ITSM(A)
Tj initial=25°C
F=50Hz
Number of cycles
Fig. 6:
Non Repetitive surge peak on-state current
versus number of cycles.
1
2
5
10
100
200
500
1000
ITSM(A),I2t(A2s)
Tj initial=25°C
ITSM
I2t
tp(ms)
Fig. 7:
Non repetitive surge peak on-state current for a
sinusoidal pulse with width : t
≤
10ms, and
corresponding value of I2t.
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
1
10
100
300
ITM(A)
Tj=25°C
Tj max.:
Vto=0.95V
Rt=19m
Tj=Tj max.
VTM(V)
Fig. 8:
On-state characteristics (maximum values).
BTB24 B
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PDF描述 |
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