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參數(shù)資料
| 型號： | BTA225B-600C |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Three quadrant triacs high commutation |
| 中文描述： | 600 V, 25 A, SNUBBERLESS TRIAC, TO-263 |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-404, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 22K |
| 代理商： | BTA225B-600C |
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Three quadrant triacs
high commutation
BTA225B series C
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
R
th j-mb
Thermal resistance
junction to mounting base
R
th j-a
Thermal resistance
junction to ambient
CONDITIONS
full cycle
half cycle
minimum footprint, FR4 board
MIN.
-
-
-
TYP.
-
-
55
MAX.
1.0
1.4
-
UNIT
K/W
K/W
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
I
GT
Gate trigger current
2
CONDITIONS
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
2
2
2
18
21
34
35
35
35
mA
mA
mA
I
L
Latching current
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
30
20
15
1.55
1.5
-
0.5
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
H
V
T
V
GT
Holding current
On-state voltage
Gate trigger voltage
V
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
I
T
= 30 A
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 125 C
V
D
= V
DRM(max)
; T
j
= 125 C
1.2
0.7
0.4
0.1
0.25
-
I
D
Off-state leakage current
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
dV
D
/dt
Critical rate of rise of
off-state voltage
dI
com
/dt
Critical rate of change of
commutating current
t
gt
Gate controlled turn-on
time
CONDITIONS
V
= 67% V
; T
= 125 C; exponential
waveform; gate open circuit
V
= 400 V; T
= 125 C; I
T(RMS)
= 25 A; without
snubber; gate open circuit
I
TM
= 30 A; V
D
= V
DRM(max)
; I
G
= 0.1 A;
dI
G
/dt = 5 A/
μ
s
MIN.
1000
TYP.
-
UNIT
V/
μ
s
3
14
A/ms
-
2
μ
s
2
Device does not trigger in the T2-, G+ quadrant.
October 1997
2
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTA225B-800C | Three quadrant triacs high commutation(三象限雙向高換向可控硅) |
| BTA225BSERIESC | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTA40-200B | TRIAC|200V V(DRM)|40A I(T)RMS|SOT-93 |
| BTA40-200A | THYRISTOR MODULE|TRIAC |
| BTA40-400A | TRIAC ISOLIERTER INNENAUFBAU 40A 400V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTA225B-800B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Three quadrant triacs high commutation |
| BTA225B-800B,118 | 功能描述:雙向可控硅 800V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BTA225B-800BTJ | 功能描述:BTA225B-800BT/D2PAK/REEL 13" Q 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 三端雙向可控硅類型:標準 電壓 - 斷態(tài):800V 電流 - 通態(tài)（It（RMS））（最大值）:25A 電壓 - 柵極觸發(fā)（Vgt）（最大值）:1V 電流 - 不重復(fù)浪涌 50，60Hz（Itsm）:190A，209A 電流 - 柵極觸發(fā)（Igt）（最大值）:50mA 電流 - 保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:單一 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 |
| BTA225B-800C | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Three quadrant triacs high commutation |
| BTA225BSERIESC | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Three quadrant triacs high commutation |
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