參數(shù)資料
型號： BTA20-600BW
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： 三端雙向可控硅開關(guān)
英文描述： SNUBBERLESS TRIACS
中文描述： 緩沖器雙向可控硅
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 470K
代理商： BTA20-600BW
BTA20 BW/CW BTB20 BW/CW
2/6
Symbol
Rth (j-a)
Rth (j-c) DC
Parameter
Value
60
2.8
1.7
2.1
1.3
Unit
°
C/W
°C/W
Junction to ambient
Junction to case for DC
BTA
BTB
BTA
BTB
Rth (j-c) AC
Junction to case for 360° conduction angle (F = 50Hz)
°C/W
GATE CHARACTERISTICS
(maximum values)
P
G(AV)
= 1W
P
GM
= 10W (tp = 20μs)
I
GM
= 4A (tp = 20μs)
V
GM
= 16V (tp = 20μs)
THERMAL RESISTANCE
Symbol
Test conditions
Quadrant
BTA / BTB20
Unit
BW
CW
I
GT
V
D
= 12V (DC)
R
L
= 33
Tj = 25°C
I - II - III
MIN.
2
1
mA
MAX.
50
35
V
GT
V
D
= 12V (DC)
R
L
= 33
Tj = 25°C
I - II - III
MAX.
1.5
V
V
GD
V
D
= V
DRM
R
L
= 3.3k
Tj =125°C
I - II - III
MIN.
0.2
V
tgt
V
D
= V
DRM
dI
G
/dt = 3A/μs
I
G
= 500mA
Tj = 25°C
I - II - III
TYP.
2
μs
I
L
I
G
= 1.2I
GT
Tj = 25°C
I - III
TYP.
50
-
mA
II
90
-
I - II - III
MAX.
-
80
I
H
*
I
T
= 500mA Gate open
Tj = 25°C
MAX.
75
50
mA
V
TM
*
I
TM
= 28A
tp = 380μs
Tj = 25°C
MAX.
1.70
V
I
DRM
I
RRM
V
DRM
rated
V
RRM
rated
Tj = 25°C
MAX.
0.01
mA
Tj = 125°C
MAX.
3
dV/dt *
Linear slope up to
V
D
= 67% V
DRM
gate open
Tj = 125°C
TYP.
750
500
V/
μ
s
MIN.
500
250
(dI/dt)c*
Without snubber
Tj = 125°C
TYP.
36
22
A/ms
MIN.
18
11
* For either polarity of electrode A
2
voltage with reference to electrode A
1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTA20-600CW SNUBBERLESS TRIACS
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