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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BT258SERIES |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 晶閘管邏輯電平 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | BT258SERIES |
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristors
logic level
BT258 series
Fig.1. Maximum on-state dissipation, P
, versus
average on-state current, I
T(AV)
, where
a = form factor = I
T(RMS)
T(AV)
.
Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
, versus pulse width t
p
, for
sinusoidal currents, t
p
≤
10ms.
Fig.3. Maximum permissible rms current I
T(RMS)
,
versus mounting base temperature T
mb
Fig.4. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
, versus number of cycles, for
sinusoidal currents, f = 50 Hz.
Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state
current I
T(RMS)
, versus surge duration, for sinusoidal
mb
≤
111C.
Fig.6. Normalised gate trigger voltage
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25C), versus junction temperature T
j
.
0
2
4
6
0
2
4
6
8
a = 1.57
1.9
2.2
2.8
4
IT(AV) (A)
Ptot (W)
Tmb(max) (C)
125
123
121
119
117
115
113
111
109
30
4
conduction
60
90
120
180
2.8
2.2
1.9
1.57
form
1
10
100
1000
0
40
Number of half cycles at 50Hz
ITSM / A
10
20
30
50
60
70
80
T
ITSM
time
I
T
Tj initial = 25 C max
10
10us
100
1000
100us
1ms
10ms
T / s
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
dI /dt limit
0.01
0.1
1
10
0
4
8
12
16
20
24
surge duration / s
IT(RMS) / A
-50
0
50
100
150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
BT258
Tmb / C
IT(RMS) / A
111 C
-50
0
100
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T50
VGT(Tj)
VGT(25 C)
October 2002
3
Rev 2.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT258U_SERIES | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BT258 | Thyristors logic level |
| BT258B | Thyristors logic level |
| BT258B-500R | Thyristors logic level |
| BT258B-600R | Thyristors logic level |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BT258U | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors logic level |
| BT258U_SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Thyristors logic level |
| BT258U-500R | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Thyristors logic level |
| BT258U-600R | 功能描述:SCR THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| BT258U-600R,127 | 功能描述:SCR THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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