參數(shù)資料
型號： BT169BW
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： Thyristor logic level
中文描述： 1 A, 200 V, SCR
封裝： PLASTIC, SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： BT169BW
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristor
logic level
BT169W Series
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 0.11 g
Fig.15. SOT223 surface mounting package.
Notes
1. For further information, refer to Philips publication SC18 " SMD Footprint Design and Soldering Guidelines".
Order code: 9397 750 00505.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.7
6.3
3.1
2.9
4
1
2
3
2.3
1.05
0.85
0.80
0.60
4.6
3.7
3.3
7.3
6.7
B
A
0.10
0.02
13
16
max
1.8
max
10
max
0.32
0.24
(4x)
B
M
0.1
A
M
0.2
September 1997
6
Rev 1.200
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PDF描述
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BT169D T/R 功能描述:SCR TAPERA TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT169D,112 功能描述:SCR BULK SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT169D,116 功能描述:SCR TAPERA TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT169D,126 功能描述:雙向可控硅 Thyristor SCR 400V 9A 3-Pin SPT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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