參數(shù)資料
型號： BT151X-500
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： Thyristors series(可控硅)
中文描述： 12 A, 500 V, SCR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： BT151X-500
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristors
BT151X series
Fig.7. Normalised gate trigger current
I
GT
(T
j
)/ I
GT
(25C), versus junction temperature T
j
.
Fig.8. Normalised latching current I
(T
j
)/ I
L
(25C),
versus junction temperature T
j
.
Fig.9. Normalised holding current I
(T
j
)/ I
H
(25C),
versus junction temperature T
j
.
Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.
Fig.11. Transient thermal impedance Z
th j-hs
, versus
pulse width t
p
.
Fig.12. Typical, critical rate of rise of off-state voltage,
dV
D
/dt versus junction temperature T
j
.
-50
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Tj / C
IGT(Tj)
IGT(25 C)
0
0.5
1
1.5
2
0
5
10
15
20
25
30
VT / V
IT / A
Tj = 125 C
Tj = 25 C
Vo = 1.06 V
Rs = 0.0304 ohms
typ
max
-50
0
50
Tj / C
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BT145
IL(Tj)
IL(25 C)
0.001
0.01
0.1
1
10
tp / s
Zth j-hs (K/W)
10us
0.1ms
1ms
10ms
0.1s
1s
10s
tp
P
D
t
without heatsink compound
with heatsink compound
-50
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Tj / C
IH(Tj)
IH(25 C)
0
50
100
150
10
100
1000
10000
Tj / C
dVD/dt (V/us)
gate open circuit
RGK = 100 Ohms
June 1999
4
Rev 1.300
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BT151X-500R,127 功能描述:SCR RAIL SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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