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    參數(shù)資料
    型號: BT136SERIESD
    英文描述: Triacs logic level
    中文描述: 雙向可控硅邏輯電平
    文件頁數(shù): 157/224頁
    文件大?。?/td> 2697K
    代理商: BT136SERIESD
    第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁當(dāng)前第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁
    Application Notes
    AN1006
    2002 Teccor Electronics
    Thyristor Product Catalog
    AN1006 - 5
    http://www.teccor.com
    +1 972-580-7777
    Figure AN1006.4
    V
    FM
    = 1 V at I
    PK
    = 20 A
    SCRs
    SCRs are half-wave unidirectional rectifiers turned on when cur-
    rent is supplied to the gate terminal. If the current supplied to the
    gate is to be in the range of 12 μA and 500 μA, then a sensitive
    SCR is required; if the gate current is between 1 mA and 50 mA,
    then a non-sensitive SCR is required.
    To connect the rectifier:
    1. Connect
    Anode
    to
    Collector Terminal (C)
    .
    2. Connect
    Cathode
    to
    Emitter Terminal (E)
    .
    Note: When sensitive SCRs are being tested, a 1 k
    resistor
    must be connected between the gate and the cathode, except
    when testing I
    GT
    .
    To begin testing, perform the following procedures.
    Procedure 1: V
    DRM
    , V
    RRM
    , I
    DRM
    , I
    RRM
    To measure the V
    DRM
    , V
    RRM
    , I
    DRM
    , and I
    RRM
    parameter:
    1. Set
    Variable Collector Supply Voltage Range
    to appropri-
    ate
    Max Peak Volts
    for device under test. (Value selected
    should be equal to or greater than the device’s V
    DRM
    rating.)
    2. Set
    Horizontal
    knob to sufficient scale to allow viewing of
    trace at the required voltage level. (The
    100 V/DIV
    scale
    should be used for testing devices having a V
    DRM
    value of
    600 V or greater; the
    50 V/DIV
    scale for testing parts rated
    from 300 V to 500 V, and so on.)
    3. Set
    Mode
    to
    Leakage
    .
    4. Set
    Polarity
    to (+).
    5. Set
    Power Dissipation
    to
    0.5 W.
    (
    0.4 W
    on 370)
    6. Set
    Terminal Selector
    to
    Emitter Grounded-Open Base
    .
    7. Set
    Vertical
    knob to approximately ten times the maximum
    leakage current (I
    DRM
    , I
    RRM
    ) specified for the device. (For
    sensitive SCRs, set to
    50 μA
    .)
    Note: The CRT screen readout should show 1% of the maximum
    leakage current if the vertical scale is divided by 1,000 when
    leakage current mode is used.
    Procedure 2: V
    DRM
    , I
    DRM
    To measure the V
    DRM
    and I
    DRM
    parameter:
    1. Set
    Left-Right Terminal Jack Selector
    to correspond with
    location of test fixture.
    2. Set
    Variable Collector Supply Voltage
    to the rated V
    DRM
    of
    the device and observe the dot on CRT. Read across hori-
    zontally from the dot to the vertical current scale. This mea-
    sured value is the leakage current. (Figure AN1006.5)
    WARNING: Do NOT exceed V
    DRM
    /V
    RRM
    rating of SCRs, triacs,
    or
    Quadracs
    . These devices can be damaged.
    Figure AN1006.5
    I
    DRM
    = 350 nA at V
    DRM
    = 600 V
    Procedure 3: V
    RRM
    , I
    RRM
    To measure the V
    RRM
    and I
    RRM
    parameter:
    1. Set
    Polarity
    to (–).
    2. Repeat Steps 1 and 2 (V
    DRM
    , I
    DRM
    ) except substitute V
    RRM
    value for V
    DRM
    . (Figure AN1006.6)
    .
    Figure AN1006.6
    I
    RRM
    = 340 nA at V
    RRM
    = 600 V
    Procedure 4: V
    TM
    To measure the V
    TM
    parameter:
    1. Set
    Terminal Selector
    to
    Step Generator-Emitter Grounded
    .
    2. Set
    Polarity
    to
    (+)
    .
    3. Set
    Step/Offset Amplitude
    to twice the maximum I
    GT
    rating
    of the device (to ensure the device turns on). For sensitive
    SCRs, set to
    2 mA
    .
    4. Set
    Max Peak Volts
    to
    15 V
    . (
    16 V
    on 370)
    5. Set
    Offset
    by depressing
    0
    (zero).
    500
    mV
    PER
    V
    E
    R
    T
    DIV
    PER
    H
    O
    R
    I
    Z
    DIV
    PER
    S
    T
    E
    P
    IT
    VFM
    2
    A
    ()k
    DIV
    9m
    PER
    DIV
    100
    nA
    100
    V
    PER
    V
    E
    R
    T
    DIV
    PER
    H
    O
    R
    I
    Z
    DIV
    PER
    S
    T
    E
    P
    VDRM
    IDRM
    ()k
    DIV
    9m
    PER
    DIV
    100
    nA
    100
    V
    PER
    V
    E
    R
    T
    DIV
    PER
    H
    O
    R
    I
    Z
    DIV
    PER
    S
    T
    E
    P
    VRRM
    IRRM
    ()k
    DIV
    9m
    PER
    DIV
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    PDF描述
    BT136SERIESE Triacs sensitive gate
    BT136SSERIES Triacs
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    BT136SSERIES 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Triacs
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