參數(shù)資料
型號： BSV52
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Small Signal NPN Transistors(小信號NPN晶體管)
中文描述： 小信號NPN晶體管（小信號npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 3/5頁
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代理商： BSV52
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Continued)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
f
T
Transition Frequency
I
C
= 10 mA V
CE
= 10V f = 100MHz
for
SO2369A
for
BSV52/SO2369
500
400
MHz
MHz
C
CB
Collector Base
Capacitance
Emitter Base
Capacitance
Turn On Time
I
E
= 0
V
CE
= 5 V
f = 1 MHz
4
pF
C
EB
I
C
= 0
for
BSV52
I
C
= 10 mA
I
B
= 3 mA
I
C
= 10 mA
V
EB
= 1 V
f = 1 MHz
4.5
pF
t
on
V
BE
= -0.5 V
12
ns
t
s
Storage Time
I
B1
= -I
B2
= 10mA
13
ns
t
off
Turn Off Time
I
C
= 10 mA
I
B2
= -1.5 mA
I
B1
= 3 mA
18
ns
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
BSV52/SO2369/SO2369A
3/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BTA04D Sensitive Gate Triacs(雙向可控硅)
BTA04S Sensitive Gate Triacs(雙向可控硅)
BTA04T Sensitive Gate Triacs(雙向可控硅)
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參數(shù)描述
BSV52 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSV52,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSV52 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23
BSV52/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR SCHALT SMD KLEINSIGNAL
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