參數(shù)資料
型號： BST70
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel vertical D-MOS transistor
中文描述： N溝道垂直D-MOS晶體管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 74K
代理商： BST70
April 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel vertical D-MOS transistor
BST70A
RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
Transistor mounted on printed circuit board, max. lead length 4 mm, mounting pad for drain lead
min. 10 mm
×
10 mm.
Drain-source voltage
Gate-source voltage (open drain)
Drain current (DC)
Drain current (peak)
Total power dissipation up to T
amb
= 25
°
C (note 1)
Storage temperature range
Junction temperature
V
DS
V
GSO
I
D
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
65 to + 150
°
C
max.
80 V
20 V
0.5 A
1.0 A
1 W
150
°
C
From junction to ambient (note 1)
R
th j-a
=
125 K/W
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PDF描述
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