參數(shù)資料
型號(hào)： BST16
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： PNP high-voltage transistor
中文描述： 0.2 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 40K
代理商： BST16
1999 Apr 26
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP high-voltage transistors
BST15; BST16
FEATURES
Low current (max. 200 mA)
High voltage (max. 300 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
PNP high-voltage transistor in a SOT89 plastic package.
NPN complements: BST39 and BST40.
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
BST15
BST16
BT1
BT2
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
emitter
collector
base
Fig.1 Simplified outline (SOT89) and symbol.
handbook, halfpage
1
2
3
Bottom view
MAM297
3
2
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single-sided copper, tinplated, mounting pad for collector 6 cm
2
.
For other mounting conditions, see “Thermal considerations for SOT89 in the General Part of associated Handbook”.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BST15
BST16
collector-emitter voltage
BST15
BST16
emitter-base voltage
BST15
BST16
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
200
350
V
V
V
CEO
open base
200
300
V
V
V
EBO
open collector
65
65
4
6
200
400
200
1.3
+150
150
+150
V
V
mA
mA
mA
W
°
C
°
C
°
C
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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