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參數(shù)資料
| 型號： | BSS92 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-200V，夾斷電流-0.15A的P溝道增強型MOSFET晶體管) |
| 中文描述： | P通道增強型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓，為200V，夾斷電流，0.15A的P溝道增強型MOSFET的晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | BSS92 |
VP2020L, BSS92
Vishay Siliconix
www.Vishay Siliconix.com FaxBack 408-970-5600
11-4
Document Number: 70210
S-00199—Rev. D, 1-Jan-00
10 K
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1
0.01
0.1
0.01
0.1
1.0
100
10
1 K
–10
–100
–1000
100
10
1
120
100
80
0
0
–10
–50
60
40
–20
–30
–40
20
Threshold Region
Capacitance
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA)
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
N
T
t
1
– Square Wave Pulse Duration (sec)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–55 C
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
–
I
C
–
V
t
C
rss
C
oss
C
iss
V
DD
= –25 V
R
G
= 25
V
GS
= 0 to –10 V
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
T
J
= 150 C
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
–12
–10
–8
0
0
0.5
2.5
–6
–4
1.0
1.5
2.0
–2
I
D
= –0.1 A
V
DS
= –100 V
–160 V
–10.0
–1.0
–0.01
0
–3.5
–0.1
–1.0
–2.0
–3.0
V
DS
= –5 V
125 C
25 C
V
= 0 V
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT138 | TRIACS LOGIC LEVEL |
| BT1 | SOT89 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| BTA06B | Standard Triacs(標(biāo)準(zhǔn)雙向可控硅) |
| BTA06C | Standard Triacs(標(biāo)準(zhǔn)雙向可控硅) |
| BTB06C | Standard Triacs(標(biāo)準(zhǔn)雙向可控硅) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSS92-TA | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 200V 0.12A 3-Pin TO-206AA T/R |
| BSS95 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-202VAR |
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