| 型號: | BSS84 |
| 廠商: | DIODES INC |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述: | 130 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝: | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商: | BSS84 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS84-7 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS84 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| BSS89 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors |
| BSS91 | Capacitor Kit;Contents Of Kit:36 different values, 20 pcs. per value |
| BST100 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors(P溝道增強型垂直D-MOS晶體管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSS84 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BSS84 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin TO-236AB T/R |
| BSS84,215 | 功能描述:MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSS84,235 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BSS84 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:Du |