| 型號(hào): | BSS82C-CM |
| 廠(chǎng)商: | Zetex Semiconductor |
| 英文描述: | SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS |
| 中文描述: | SOT23封裝進(jìn)步黨硅平面開(kāi)關(guān)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
| 文件大小: | 37K |
| 代理商: | BSS82C-CM |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BSS92 | P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-200V,夾斷電流-0.15A的P溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管) |
| BT138 | TRIACS LOGIC LEVEL |
| BT1 | SOT89 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| BTA06B | Standard Triacs(標(biāo)準(zhǔn)雙向可控硅) |
| BTA06C | Standard Triacs(標(biāo)準(zhǔn)雙向可控硅) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BSS82CE6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
| BSS82CL | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23 |
| BSS82CTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS82CTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS83 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-143 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-143 |