| 型號(hào): | BSS79CL |
| 元件分類: | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述: | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 40V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大小: | 74K |
| 代理商: | BSS79CL |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS80BL | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSS80CL | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSS84L | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 100MA I(D) | SOT-23 |
| BSS84LT3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| BSS84T1 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSS79CTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS79CTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS8 | 制造商:TT Electronics / Welwyn 功能描述: 制造商:Welwyn Components 功能描述: |
| BSS80 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon Switching Transistors |
| BSS806N | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Small-Signal-Transistor |