參數(shù)資料
型號： BSR51
元件分類： TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述： Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： NPN達林頓晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： BSR51
1997 May 12
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN Darlington transistors
BSR50; BSR51; BSR52
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BSR50
BSR51
BSR52
collector-emitter voltage
BSR50
BSR51
BSR52
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
base current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
60
80
90
V
V
V
V
CES
V
BE
= 0
65
65
45
60
80
5
1
2
100
0.83
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
mA
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
150
K/W
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PDF描述
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