參數(shù)資料
型號: BSR19
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN switching transistors
中文描述: 300 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 67K
代理商: BSR19
1997 Apr 21
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN high-voltage transistors
BSR19; BSR19A
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
BSR19
I
E
= 0; V
CB
= 100 V
I
E
= 0; V
CB
= 100 V; T
amb
= 100
°
C
100
100
nA
μ
A
I
CBO
collector cut-off current
BSR19A
I
E
= 0; V
CB
= 120 V
I
E
= 0; V
CB
= 120 V; T
amb
= 100
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
I
C
= 1 mA; V
CE
= 5 V
50
50
50
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
BSR19
BSR19A
DC current gain
BSR19
BSR19A
DC current gain
BSR19
BSR19A
collector-emitter saturation voltage
collector-emitter saturation voltage
BSR19
BSR19A
collector capacitance
transition frequency
60
80
h
FE
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V
60
80
250
250
h
FE
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V
20
30
150
V
CEsat
V
CEsat
I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 50 mA; I
B
= 5 mA
mV
100
250
200
6
300
mV
mV
pF
MHz
C
c
f
T
I
E
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 10 V; f = 100 MHz
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