| 型號: | BSO615N G |
| 廠商: | Infineon Technologies |
| 文件頁數(shù): | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述: | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC |
| 其它圖紙: | SO-8 Dual |
| 標準包裝: | 1 |
| 系列: | SIPMOS® |
| FET 型: | 2 個 N 溝道(雙) |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 2.6A |
| 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 150 毫歐 @ 2.6A,4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 20µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 2W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-DSO-8 |
| 包裝: | 標準包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面: | 1619 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱: | BSO615NGINDKR |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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