參數(shù)資料
型號： BSO301SN
英文描述： High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes
中文描述： ？的OptiMOS小信號MOSFET。 30V的。 SO - 8封裝。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 7.8mOhm。 13A條。當(dāng)?shù)毓蛦T？
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 217K
代理商： BSO301SN
2001-08-21
Page 7
Preliminary data
BSO301SN
13 Typ. avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 13 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
50
75
100
°C
150
T
j
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
mJ
240
E
A
14 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 13 A pulsed
0
10
20
30
40
50
nC
70
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
BSO301SN
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
15 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=10 mA
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
27
28
29
30
31
32
33
34
V
36
BSO301SN
V
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSO304SN Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
BSO315C Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
BSP090 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP106 INDUCTOR TOROID W/HDR 75UH 15%
BSP107 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSO301SP 功能描述:MOSFET P-CH -30 V -14.9 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO301SP H 功能描述:MOSFET P-KANAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO301SPH 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-P Power-Transistor
BSO301SPHXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
BSO301SPHXUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO Dry 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
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