參數(shù)資料
型號: BSO211P H
廠商: Infineon Technologies
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
系列: OptiMOS™
FET 型: 2 個 P 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 67 毫歐 @ 4.6A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1095pF @ 15V
功率 - 最大: 1.6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-DSO-8
包裝: 帶卷 (TR)
3
SY10H607
SY100H607
Micrel, Inc.
M9999-032906
hbwhelp@micrel.com or (408) 955-1690
Dn
MR
TCLK/CLK
Qn + 1
LL
Z
L
HL
Z
H
XH
X
L
TRUTH TABLE
Z = Low to High Transition.
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
IEE
PECL Power Supply Current
mA
10H
70
85
70
85
70
85
100H
65
80
70
85
75
95
ICCL
TTL Supply Current
100
120
100
120
100
120
mA
ICCH
TTL Supply Current
100
120
100
120
100
120
mA
IOS
Output Short Circuit Current
–100
—–225
–100
—–225
–100
—–225
mA
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10H PECL DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Condition
IIH
Input HIGH Current
225
145
145
A
IIL
Input LOW Current
0.5
0.5
0.5
A
VIH
Input HIGH Voltage
3830
4160
3870
4190
3930
4280
mV
VCCT = 5.0V
VIL
Input LOW Voltage
3050
3520
3050
3520
3050
3555
mV
VCCT = 5.0V
VBB
Output Bias Voltage
3620
3730
3650
3750
3690
3810
mV
VCCT = 5.0V
Note:
1. PECL VIL, VIH, VOL, VOH, VBB are given for VCCT = VCCE = 5.0V and will vary 1:1 with power supply.
100H PECL DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Condition
IIH
Input HIGH Current
225
145
145
A
IIL
Input LOW Current
0.5
0.5
0.5
A
VIH
Input HIGH Voltage
3835
4120
3835
4120
3835
4120
mV
VCCT = 5.0V
VIL
Input LOW Voltage
3190
3525
3190
3525
3190
3525
mV
VCCT = 5.0V
VBB
Output Bias Voltage
3620
3740
3620
3740
3620
3740
mV
VCCT = 5.0V
Note:
1. PECL VIL, VIH, VOL, VOH, VBB are given for VCCT = VCCE = 5.0V and will vary 1:1 with power supply.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
B121J71V3B2 SWITCH ROCKER SPDT 0.5VA 28V
FXO-PC735R-312.5 OSC 312.5 MHZ 3.3V PECL SMD
7M-32.000MAHE-T CRYSTAL 32.000 MHZ 12PF SMD
FVXO-LC73BR-1090 OSC 1090 MHZ 3.3V LVDS SMD
FXO-PC725-333 OSC 333 MHZ 2.5V PECL SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSO211PHXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin DSO Dry
BSO211PHXUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SMALL SIGNAL N-CH - Tape and Reel
BSO211PNTMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC
BSO215C 功能描述:MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:SIPMOS® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
BSO220N 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS-R Small-Signal-Transistor