型號: | BSO211P H |
廠商: | Infineon Technologies |
文件頁數(shù): | 3/5頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 2,500 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | 2 個 P 溝道(雙) |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 4A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 67 毫歐 @ 4.6A,4.5V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 1.2V @ 25µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 10nC @ 4.5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1095pF @ 15V |
功率 - 最大: | 1.6W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-DSO-8 |
包裝: | 帶卷 (TR) |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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B121J71V3B2 | SWITCH ROCKER SPDT 0.5VA 28V |
FXO-PC735R-312.5 | OSC 312.5 MHZ 3.3V PECL SMD |
7M-32.000MAHE-T | CRYSTAL 32.000 MHZ 12PF SMD |
FVXO-LC73BR-1090 | OSC 1090 MHZ 3.3V LVDS SMD |
FXO-PC725-333 | OSC 333 MHZ 2.5V PECL SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSO211PHXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin DSO Dry |
BSO211PHXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SMALL SIGNAL N-CH - Tape and Reel |
BSO211PNTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC |
BSO215C | 功能描述:MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:SIPMOS® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
BSO220N | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS-R Small-Signal-Transistor |