參數(shù)資料
型號(hào)： BSO110N03MS G
廠商： Infineon Technologies
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 30V 10A DSO-8
產(chǎn)品目錄繪圖： Mosfets DSO-8
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： OptiMOS™
FET 型： MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)： 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)： 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： 10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 11 毫歐 @ 12.1A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs： 20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds： 1500pF @ 15V
功率 - 最大： 1.56W
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： PG-DSO-8
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱： BSO110N03MS GINDKR
3
SY10H607
SY100H607
Micrel, Inc.
M9999-032906
hbwhelp@micrel.com or (408) 955-1690
Dn
MR
TCLK/CLK
Qn + 1
LL
Z
L
HL
Z
H
XH
X
L
TRUTH TABLE
Z = Low to High Transition.
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
IEE
PECL Power Supply Current
mA
10H
—
70
85
—
70
85
—
70
85
100H
—
65
80
—
70
85
—
75
95
ICCL
TTL Supply Current
—
100
120
—
100
120
—
100
120
mA
ICCH
TTL Supply Current
—
100
120
—
100
120
—
100
120
mA
IOS
Output Short Circuit Current
–100
—–225
–100
—–225
–100
—–225
mA
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10H PECL DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Condition
IIH
Input HIGH Current
—
225
—
145
—
145
A
IIL
Input LOW Current
0.5
—
0.5
—
0.5
—
A
VIH
Input HIGH Voltage
3830
4160
3870
4190
3930
4280
mV
VCCT = 5.0V
VIL
Input LOW Voltage
3050
3520
3050
3520
3050
3555
mV
VCCT = 5.0V
VBB
Output Bias Voltage
3620
3730
3650
3750
3690
3810
mV
VCCT = 5.0V
Note:
1. PECL VIL, VIH, VOL, VOH, VBB are given for VCCT = VCCE = 5.0V and will vary 1:1 with power supply.
100H PECL DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
VCCT = VCCE = 5.0V
±5%
TA= 0
°CTA= +25°CTA= + 85°C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Condition
IIH
Input HIGH Current
—
225
—
145
—
145
A
IIL
Input LOW Current
0.5
—
0.5
—
0.5
—
A
VIH
Input HIGH Voltage
3835
4120
3835
4120
3835
4120
mV
VCCT = 5.0V
VIL
Input LOW Voltage
3190
3525
3190
3525
3190
3525
mV
VCCT = 5.0V
VBB
Output Bias Voltage
3620
3740
3620
3740
3620
3740
mV
VCCT = 5.0V
Note:
1. PECL VIL, VIH, VOL, VOH, VBB are given for VCCT = VCCE = 5.0V and will vary 1:1 with power supply.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CD4FD271GO3F CAP MICA 270PF 500V 2% RADIAL
CD4FD251GO3F CAP MICA 250PF 500V 2% RADIAL
940C12W1P5K CAP FILM 1.5UF 1.2KVDC AXIAL
SFP37S7.5K238B-F CAP FILM 7.5UF 370VAC QC TERM
930C1W6P8K-F CAP FILM 6.8UF 100VDC AXIAL
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參數(shù)描述
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BSO119N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO119N03SFUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A DSO-8
BSO119N03ST 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-CH MOSFET,30V,SO8, 11.9MOHM,
BSO119N03SXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin DSO
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