| 型號: | BSO080P03NS3E G |
| 廠商: | Infineon Technologies |
| 文件頁數(shù): | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述: | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO |
| 標準包裝: | 1 |
| 系列: | OptiMOS™ |
| FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 12A |
| 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 8 毫歐 @ 14.8A,10V |
| Id 時的 Vgs(th)(最大): | 1.9V @ 150µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 81nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 6750pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 1.6W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-DSO-8 |
| 包裝: | 標準包裝 |
| 其它名稱: | BSO080P03NS3E GDKR |

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PDF描述 |
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