型號(hào): | BSM75GB120DN2 |
元件分類: | 開(kāi)關(guān) |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁(yè)數(shù): | 4/7頁(yè) |
文件大?。?/td> | 525K |
代理商: | BSM75GB120DN2 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
BSM15GD120D2 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BSM25GD120D2 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BSM35GD120D2 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BSM75GD120DN2 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BSM15GD60DN2 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
BSM75GB120DN2_E3223 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 105A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
BSM75GB120DN2_E3223c-Se | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
BSM75GB120DN2E3223 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
BSM75GB160D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 100A I(C) |
BSM75GB170DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 110A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |