參數(shù)資料
型號(hào): BSM50GB120DN2
元件分類: 開關(guān)
英文描述: TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED
文件頁數(shù): 6/7頁
文件大?。?/td> 525K
代理商: BSM50GB120DN2
APEM
www.apem.com
A-83
12000X778 series
High performance toggle switches - threaded bushing 11,9 (15/32)
Positions and connections
A
FUNCTION
12146
12147
12148
12149
12148CT
12145
12144
12144-1R
12144-2R
12156
12166
12164
TERMINAL
IDENTIFICATION
WIRING FOR 3-WAY SWITCHES
(FUNCTION 4)
LEVER POSITION AND CONNECTIONS
I
II
III (Flat)
ON
-
ON
(1-3)-4
(1-3)-2
(5-7)-8
(5-7)-6
MOM
OFF
MOM
ON
OFF
MOM
ON
OFF
ON
MOM
OFF
ON
1-2
1-3
4-5
4-6
-
ON
MOM
1-2
1-3
4-5
4-6
ON
MOM
ON
MOM
ON
MOM
1-2
1-3
4-5
4-6
ON
-
ON
(1-3)-4
(1-3)-2
(5-7)-8
(5-7)-6
(9-11)-12
(9-11)-10
ON
-
ON
1A - 3A
1A - 2A
1C - 3C
1C - 2C
1E - 3E
1E - 2E
1G - 3G
1G - 2G
ON
1A - 2A
1A - 3A
1C - 2C
1C - 3C
1E - 2E
1E - 3E
1G - 2G
1G - 3G
External jumper (added by customer)
12164
12144
12144-1R
12144-2R
Flat
A
2
1
33
1
2
4
3-1
210
9-11
12
3
1
25
4
6
7-5
8
4
3-1
2
CE
G
A
2
1
33
1
2
4
3-1
210
9-11
12
3
1
25
4
6
7-5
8
4
3-1
2
A
2
1
33
1
2
4
3-1
210
9-11
12
3
1
25
4
6
7-5
8
4
3-1
2
CE
G
A
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1
33
1
2
4
3-1
210
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12
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6
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8
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A
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1
33
1
2
4
3-1
210
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12
3
1
25
4
6
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8
4
3-1
2
CE
G
A
2
1
33
1
2
4
3-1
210
9-11
12
3
1
25
4
6
7-5
8
4
3-1
2
A
2
1
33
1
2
4
3-1
210
9-11
12
3
1
25
4
6
7-5
8
4
3-1
2
CE
G
A
2
1
33
1
2
4
3-1
210
9-11
12
3
1
25
4
6
7-5
8
4
3-1
2
1
4
3
2
6
5
4
1
3
2
6
5
4
1
3
2
6
5
1A
2A
1C
1E
1G
3A
2C
3C
2E
3E
2G
3G
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PDF描述
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BSM200GB120DN2 TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED
BSM200GB170DLC TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED
BSM200GB60DLC TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED
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BSM50GB170DN2 功能描述:IGBT 模塊 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB170DN2HOSA1 功能描述:IGBT Module Half Bridge 1700V 72A 500W Chassis Mount Module 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間 IGBT 類型:- 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):72A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):8nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
BSM50GB60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 75A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.45V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):2.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10