型號: | BSM300GA170DN2S;C-SERIE |
元件分類: | 開關 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁數(shù): | 7/7頁 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BSM300GA170DN2S;C-SERIE |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BSM300GAR120DLC C-SERIE | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BSM400GA120DLCS;C-SERIE | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BSM600GA120DLC;C-SERIE | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BSM600GA120DLCS;C-SERIE | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BCP55-16 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSM300GAL120DLC | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 300A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
BSM300GAR120DLC | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 300A DUAL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
BSM300GB120DLC | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 300A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
BSM300GB120DLC_E3256 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 300A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
BSM300GB60DLC | 功能描述:IGBT 模塊 600V 300A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |