參數(shù)資料
型號(hào)： BSM150GB60DLC
廠(chǎng)商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Modules
中文描述： 180 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大小： 75K
代理商： BSM150GB60DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 150 GB 60 DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
600
V
T
c
= 60°C
I
C,nom.
150
A
T
c
= 25°C
I
C
180
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1ms, T
c
= 60°C
I
CRM
300
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
c
= 25°C, Transistor
P
tot
595
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
150
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1ms
I
FRM
300
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
I
2
t
2.300
A
2
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
V
ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
I
C
= 150A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C
-
1,95
2,45
V
I
C
= 150A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
-
2,20
-
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 3,0mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Eingangskapazitt
input capacitance
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
-
6,5
-
nF
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
-
0,6
-
nF
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
-
1
500
μA
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
1
-
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
400
nA
prepared by: Andreas Vetter
date of publication: 2000-04-26
approved by: Michael Hornkamp
revision: 1
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
V
CE sat
I
CES
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
1 (8)
BSM 150 GB 60 DLC
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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BSM150GD120DN2 制造商:EUPEC 制造商全稱(chēng):EUPEC 功能描述:Econopacks shrink frequency converters
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BSM150GT120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM150GT120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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