參數(shù)資料
型號(hào): BSD22
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: MOSFET N-channel depletion switching transistor(N溝道耗盡型開(kāi)關(guān)MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述: 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: PLASTIC, SOT-143B, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商: BSD22
DATA SHEET
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC07
December 1997
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BSD22
MOSFET N-channel depletion
switching transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BSH120T Automotive Rectifier Diodes
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BSK-1 Automotive Rectifier Diodes
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSD223P 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:OptiMOS™ 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR
BSD223P H6327 功能描述:MOSFET P-CH 20V 390MA SOT363 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:OptiMOS™ 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR
BSD223P L6327 功能描述:MOSFET P-CH -20 V -.35 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSD223P_06 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-P Small-Signal-Transistor
BSD223PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CHANNEL MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube