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參數(shù)資料
| 型號： | BS107 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓200V，夾斷電流0.12A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓為200V，夾斷電流0.12A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | BS107 |
VN2010L/BS107
4
Siliconix
P-38283—Rev. B, 15-Aug-94
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted) (Cont’d)
Threshold Region
Capacitance
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA)
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
N
T
t
1
– Square Wave Pulse Duration (sec)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
Q
g
– Total Gate Charge (pC)
–
I
D
C
–
V
G
10
1
0.01
0
0.4
0.1
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
= 5 V
T
J
= 150 C
–55 C
0 C
60
50
40
0
0
10
50
30
20
20
30
40
10
C
oss
C
iss
C
rss
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
15.0
12.5
10.0
0
0
250
1250
7.5
5.0
500
750
1000
2.5
I
D
= 0.1 A
160 V
V
DS
= 100 V
0.01
0.1
1.0
100
10
1
50
20
5
2
V
DD
= 25 V
R
G
= 25
V
GS
= 0 to 10 V
10 K
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1
0.01
0.1
0.01
0.1
1
100
10
1 K
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
t
d(off)
t
d(on)
t
r
t
f
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BS108 | DMOS Transistors (N-Channel)(N通道DMOS晶體管) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BS107/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small Signal MOSFET 250 mAmps， 200 Volts |
| BS107_04 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts |
| BS107_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts |
| BS10724K1105 | 制造商:MISC. COMMERCIAL HRD 功能描述: |
| BS107A | 功能描述:MOSFET 200V 250mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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