型號(hào): | BS-C60DRD |
元件分類: | 開關(guān) |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁(yè)數(shù): | 4/7頁(yè) |
文件大?。?/td> | 525K |
代理商: | BS-C60DRD |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BS-C811RD | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BS-C812RD | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BS-C813RD | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BS-C814RD | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
BS-C815RD | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSC670N25NSFDATMA1 | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 24A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):24A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 90μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2410pF @ 125V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):67 毫歐 @ 24A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
BSC750N10ND G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR-Trans 100V 13A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSC750N10NDG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 100V 3.2A OptiMOS2 SON8 |
BSC750N10NDGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin TDSON EP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 13A TDSON-8 |
BSC750N10NDGXT | 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin TDSON EP |