參數(shù)資料
型號: BR93L66RFVM
元件分類: DRAM
英文描述: EEPROM
中文描述: EEPROM的
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大?。?/td> 45K
代理商: BR93L66RFVM
Serial 3 Wire Interface
SK
0
0
1
Hi-Z
DO
DI
ENABLE = 1 1
DISABLE = 0 0
CS
CS
STATUS
SK
1
2
4
9
10
25
D
15
D
14
D
1
D
0
1
0
1
Hi-Z
DO
DI
BUSY
READY
t
E
/w
0
0
SK
1
2
4
9
10
25
CS
STATUS
A
5
D
15
D
14
D
1
D
0
A
4
A
1
A
0
1
0
1
Hi-Z
DO
DI
BUSY
READY
t
E
/w
SK
1
2
4
9
10
25
26
A
5
CS
A
4
A
1
A
0
0
1
1
D
15
D
14
0
D
1
D
0
D
15
D
14
Hi-Z
DO
DI
Timing chart
Re(n+1)
Re(n)
Note : BR93LL46F/FV, BR93LC46/F/RF/FJ/RFJ/FV are single-cell types.
Please be careful not to confuse w-cell type and single-cell type.
("-W" means double-cell type.)
12
Read cycle
Write cycle
Write all registers cycle
Write enable / disable cycle
1.8V Low voltage
1,000,000
Write cycle
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BR93LC46 Microwire Serial EEPROM
BR93LC46A Microwire Serial EEPROM
BR93LC46AF Microwire Serial EEPROM
BR93LC46F Microwire Serial EEPROM
BR93LC46FV Microwire Serial EEPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BR93L66RFVM-W 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Microwire BUS 4Kbit(256 x 16bit) EEPROM
BR93L66RFVM-WE2 功能描述:IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8MSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP(0.465",11.8mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8
BR93L66RFVM-WTR 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 SRL 256X16 BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
BR93L66RFVT-W 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Memory,EEPROM,4kb(X16),Microwire,TSSOP8
BR93L66RFVT-WE2 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 MICROWIRE 4K BIT 256X16 2.5V/3.3V/5V RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8