參數(shù)資料
型號(hào)： BR24L08FJ
英文描述： Schottky Barrier Diodes
中文描述： 肖特基勢(shì)壘二極管
文件頁數(shù)： 7/30頁
文件大?。?/td> 806K
代理商： BR24L08FJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BR24L08FV Schottky Barrier Diodes
BR24L08FVM Schottky Barrier Diodes
BR24L16F Schottky Barrier Diodes
BR24L16FJ Schottky Barrier Diodes
BR24L16FV EEPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BR24L08FJ-W 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:1024】8 bit electrically erasable PROM
BR24L08FJ-WE2 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 SRL 1024X8 BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
BR24L08FJ-WTR 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:High Reliability Series EEPROMs I2C BUS
BR24L08FV 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM
BR24L08FVJ-WE2 功能描述:IC EEPROM 8KBIT 100KHZ TSSOP-B8J RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8
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