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參數資料
| 型號： | BR1000 |
| 廠商： | Electronics Industry Public Company Limited |
| 英文描述： | MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD |
| 中文描述： | 硅橋式整流器 |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | BR1000 |
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( BR1000 - BR1010 )
FIG.1 - DERATING CURVE FOR OUTPUT
RECTIFIED CURRENT
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK
FORWARD SURGE CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
CASE TEMPERATURE, (
°
C)
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FIG.3 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
FIG.4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
PER DIODE
PER DIODE
8
6
4
2
12
100
10
1.0
200
0
300
0
150
100
50
0.1
10
80
0.01
0.01
1.0
0.1
100
140
0
20
40
60
120
PERCENT OF RATED REVERSE
VOLTAGE, (%)
P
A
A
A
F
R
T
J
= 25
°
C
Pulse Width = 300
μ
s
1 % Duty Cycle
8.3 ms SINGLE HALF SINE WAVE
JEDEC METHOD
T
J
= 50
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
10
250
10
20
60
1
2
4
6
40
100
1.2
1.4
1.8
0.4
0.6
0.8
1.0
1.6
HEAT-SINK MOUNTING, Tc
3.2" x 3.2" x 0.12" THK.
(8.2cm x8.2cm x 0.3cm) Al.-PLATE
FORWARD VOLTAGE, VOLTS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BR1001 | MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD |
| BR1002 | MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD |
| BR1004 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
| BR1505W | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| BR1510W | SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BR1000_05 | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
| BR1000-25 | 制造商:Cornell Dubilier Electronics 功能描述: |
| BR100-03 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIAC |
| BR100-03 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIAC |
| BR100-031 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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