參數(shù)資料
型號： bq2201
廠商： Benchmark Technology Group
英文描述： SRAM Nonvolatile Controller Unit(靜態(tài)RAM非易失性控制器單元)
中文描述： 非易失SRAM的控制器單元（靜態(tài)RAM的非易失性控制器單元）
文件頁數(shù)： 4/12頁
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代理商： BQ2201
4
DC Electrical Characteristics
(TA= TOPR, VCC= 5V
±
10%)
Symbol
Parameter
Minimum
Typical
Maximum
Unit
Conditions/Notes
I
LI
Input leakage current
-
-
±
1
μ
A
V
IN
= V
SS
to V
CC
V
OH
Output high voltage
2.4
-
-
V
I
OH
= -2.0mA
V
OHB
V
OH
, BC supply
V
BC
- 0.3
-
-
V
V
BC
> V
CC
, I
OH
= -10
μ
A
V
OL
Output low voltage
-
-
0.4
V
I
OL
= 4.0mA
I
CC
Operating supply current
-
3
5
mA
No load on V
OUT
and CE
CON
.
V
PFD
Power-fail detect voltage
4.55
4.62
4.75
V
THS = V
SS
4.30
4.37
4.50
V
THS = V
CC
V
SO
Supply switch-over voltage
-
V
BC
-
V
I
CCDR
Data-retention mode
current
-
-
100
nA
V
OUT
data-retention current
to additional memory not in-
cluded.
V
OUT1
V
OUT
voltage
V
CC
- 0.2
-
-
V
V
CC
> V
BC
, I
OUT
= 100mA
V
CC
- 0.3
-
-
V
V
CC
> V
BC
, I
OUT
= 160mA
V
OUT2
V
OUT
voltage
V
BC
- 0.3
-
-
V
V
CC
< V
BC
, I
OUT
= 100
μ
A
V
BC
Active backup cell
voltage
-
V
BC2
-
V
V
BC1
< 2.5V
-
V
BC1
-
V
V
BC1
> 2.5V
I
OUT1
V
OUT
current
-
-
160
mA
V
OUT
> V
CC
- 0.3V
I
OUT2
V
OUT
current
-
100
-
μ
A
V
OUT
> V
BC
- 0.2V
Note:
Typical values indicate operation at T
A
= 25°C, V
CC
= 5V or V
BC
.
Oct. 1998 D
bq2201
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PDF描述
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