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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BPW78B |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Phototransistor |
| 中文描述： | 硅npn型光電晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | BPW78B |
BPW78
Vishay Telefunken
3 (5)
Rev. 2, 20-May-99
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 81528
94 8239
0
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2.0
I
c
20
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
40
60
80
100
1.6
1.8
V
CE
=5V
E
e
=1mW/cm
2
=950nm
Figure 3. Relative Collector Current vs.
Ambient Temperature
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
10
I
c
E
e
– Irradiance ( mW/cm
2
)
10
94 8251
V
CE
=5V
=950nm
BPW78A
BPW78B
Figure 4. Relative Radiant Sensitivity vs.
Angular Displacement
0.1
1
10
0.1
1
10
I
c
V
CE
– Collector Emitter Voltage ( V )
100
94 8252
E
e
=1mW/cm
2
=950nm
0.5mW/cm
2
0.2mW/cm
2
0.1mW/cm
2
Figure 5. Collector Light Current vs.
Collector Emitter Voltage
0.1
1
10
0
4
8
12
16
20
C
C
V
CE
– Collector Emitter Voltage ( V )
100
94 8247
f=1MHz
Figure 6. Collector Emitter Capacitance vs.
Collector Emitter Voltage
0
4
8
12
16
94 8253
0
2
4
6
8
12
t
o
I
C
– Collector Current ( mA )
10
o
V
CE
=5V
R
L
=100
=950nm
t
off
t
on
Figure 7. Turn On/Turn Off Time vs. Collector Current
700
800
900
1000
1100
94 8270
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
S
r
– Wavelength ( nm )
Figure 8. Relative Spectral Sensitivity vs. Wavelength
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BPW78 | Silicon NPN Phototransistor |
| BPW78A | Silicon NPN Phototransistor |
| BPW78 | Silicon NPN Phototransistor(高靈敏度NPN外延平面型光晶體管) |
| BPW82 | Silicon PIN Photodiode(反向電壓60V，光檢測器應(yīng)用的PIN光二極管) |
| BPW82 | Silicon PIN Photodiode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BPW80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHMITT-TRIGGER OUTPUT PHOTO IC |
| BPW-8071 | 制造商:BOSER 制造商全稱:BOSER 功能描述:70W DC-DC Open Frame Power Supply Input Range: 10~30VDC Output 70W with 22FCM Fan Required |
| BPW81 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHMITT-TRIGGER OUTPUT PHOTO IC |
| BPW-8110 | 制造商:BOSER 制造商全稱:BOSER 功能描述:120W DC-DC Open Frame Power Supply |
| BPW82 | 功能描述:光電二極管 60V 215mW 950nm RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時(shí)間:3.1 us 下降時(shí)間:3 us 半強(qiáng)度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
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