參數(shù)資料
型號(hào)： BPW46
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon PIN Photodiode(反向電壓60V,光檢測(cè)器應(yīng)用的PIN光二極管)
中文描述： 硅PIN光電二極管（反向電壓60V的，光檢測(cè)器應(yīng)用的密碼光二極管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： BPW46
BPW46
Vishay Telefunken
3 (5)
Rev. 2, 20-May-99
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 81524
0.01
0.1
1
0.1
1
10
100
1000
I
r
E
e
– Irradiance ( mW/cm
2
)
10
94 8417
V
R
=5V
=950nm
Figure 3. Reverse Light Current vs. Irradiance
0.1
1
10
100
1000
E
A
– Illuminance ( lx )
94 8418
I
r
10
1
10
2
10
3
10
4
V
R
=5V
Figure 4. Reverse Light Current vs. Illuminance
0.1
1
10
1
10
100
V
R
– Reverse Voltage ( V )
100
94 8419
I
r
1mW/cm
2
0.5mW/cm
2
0.2mW/cm
2
0.1mW/cm
2
0.05mW/cm
2
=950nm
Figure 5. Reverse Light Current vs. Reverse Voltage
0.1
1
10
0
20
40
60
80
C
D
V
R
– Reverse Voltage ( V )
100
94 8407
E=0
f=1MHz
Figure 6. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
350
550
750
950
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1150
94 8420
S
r
– Wavelength ( nm )
Figure 7. Relative Spectral Sensitivity vs. Wavelength
0.4
0.2
0
0.2
0.4
S
r
0.6
94 8406
0.6
0.9
0.8
0
°
30
°
10
°
20
°
40
°
50
°
60
°
70
°
80
°
0.7
1.0
Figure 8. Relative Radiant Sensitivity vs.
Angular Displacement
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BPW46 Silicon PIN Photodiode
BPW76B Silicon NPN Phototransistor
BPW76A Silicon NPN Phototransistor
BPW76 Silicon NPN Phototransistor
BPW76 Silicon NPN Phototransistor(高靈敏度NPN外延平面型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BPW46_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon PIN Photodiode
BPW46L 功能描述:光電二極管 HS PIN Photo Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長(zhǎng):565 nm 上升時(shí)間:3.1 us 下降時(shí)間:3 us 半強(qiáng)度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5
BPW47A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | TO-18
BPW47B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | TO-18
BPW47C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | TO-18
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