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參數(shù)資料
| 型號： | BPW20R |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon PN Photodiode(反向電壓10V，傳感器應用的PN光二極管) |
| 中文描述： | 硅光電二極管生產(chǎn)通知書（反向電壓10V時，傳感器應用的通知書光二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | BPW20R |
BPW20R
Vishay Telefunken
3 (5)
Rev. 2, 20-May-99
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 81517
I
k
E
A
– Illuminance ( lx )
94 8470
10
0
10
–2
10
–1
10
1
10
2
10
3
10
4
10
0
10
–1
10
–2
10
–3
10
–4
10
1
10
2
Figure 3. Short Circuit Current vs. Illuminance
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
I
r
E
e
– Irradiance ( mW/cm
2
)
10
94 8471
V
R
=5V
=950nm
Figure 4. Reverse Light Current vs. Irradiance
0.1
1
10
1
10
100
V
R
– Reverse Voltage ( V )
100
94 8472
I
r
1mW/cm
2
0.5mW/cm
2
0.2mW/cm
2
0.1mW/cm
2
0.05mW/cm
2
=950nm
Figure 5. Reverse Light Current vs. Reverse Voltage
0
400
600
800
1200
1400
1000
200
0.1
1
10
C
D
V
R
– Reverse Voltage ( V )
100
94 8473
E=0
f=1MHz
Figure 6. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
94 8474
350
550
750
950
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1150
S
r
– Wavelength ( nm )
Figure 7. Relative Spectral Sensitivity vs. Wavelength
0.4
0.2
0
0.2
0.4
S
r
0.6
94 8475
0.6
0.9
0.8
0
°
30
°
10
°
20
°
40
°
50
°
60
°
70
°
80
°
0.7
1.0
Figure 8. Relative Radiant Sensitivity vs.
Angular Displacement
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BPW20R | Silicon PN Photodiode |
| BPW21R | Silicon PN Photodiode(反向電壓10V，傳感器應用的PN光二極管) |
| BPW21 | DSUB 17H5 F PCB HP G T |
| BPW21R | Silicon PN Photodiode |
| BPW21R | Photodiode PIN Chip 565nm 2-Pin TO-5 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BPW20RF | 功能描述:光電二極管 10V 300mW 920nm RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
| BPW20RF | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Photo Diode |
| BPW20RF_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Photodiode |
| BPW20RF_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Photodiode, RoHS Compliant |
| BPW21 | 制造商:OSRAM 功能描述:Q62702P0885 PHOTO DIODE 制造商:OSRAM 功能描述:BPW21 visible light photodiode |
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