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參數(shù)資料
| 型號： | BP104 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon PIN Photodiode(高速，高靈敏度的PIN光二極管) |
| 中文描述： | 硅PIN光電二極管（高速，高靈敏度的密碼光二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | BP104 |
BP104
Vishay Telefunken
2 (5)
Rev. 2, 20-May-99
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 81500
Basic Characteristics
T
amb
= 25 C
Parameter
Breakdown Voltage
Reverse Dark Current
Diode Capacitance
Test Conditions
I
R
= 100 A, E = 0
V
R
= 10 V, E = 0
V
R
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
V
R
= 3 V, f = 1 MHz, E = 0
E
e
= 1 mW/cm
2
, = 950 nm
E
e
= 1 mW/cm
2
, = 950 nm
E
e
= 1 mW/cm
2
,
= 950 nm, V
R
= 5 V
Symbol
V
(BR)
I
ro
C
D
C
D
V
o
I
k
I
ra
Min
60
Typ
Max
Unit
V
nA
pF
pF
mV
A
A
2
70
25
350
38
45
30
40
Open Circuit Voltage
Short Circuit Current
Reverse Light Current
40
Angle of Half Sensitivity
Wavelength of Peak Sensitivity
Range of Spectral Bandwidth
Noise Equivalent Power
Rise Time
±
65
950
deg
nm
nm
W/
√
Hz
ns
p
0.5
870...1050
4x10
–14
100
V
R
=10V, =950 nm
V
R
=10V, R
L
=1k ,
=820 nm
V
R
=10V, R
L
=1k ,
=820 nm
NEP
t
r
Fall Time
t
f
100
ns
Typical Characteristics
(T
amb
= 25 C unless otherwise specified)
20
40
60
80
1
10
100
1000
I
r
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
100
94 8403
V
R
=10V
Figure 1. Reverse Dark Current vs. Ambient Temperature
0
20
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
40
60
80
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
r
100
94 8409
V
R
=5V
=950nm
Figure 2. Relative Reverse Light Current vs.
Ambient Temperature
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BP104 | Photodiode PIN Chip 950nm 2-Pin |
| BP5027A | DC / DC converter |
| BP5034D15 | AC/DC converter AC100V input, 15V/80mA output |
| BP5034D24 | AC100V input, 24V/50mA output |
| BP5034D12 | AC/DC converter AC100V input, 12V/100mA output |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BP10-4 | 制造商:BB-BATTERY 制造商全稱:BB-BATTERY 功能描述:VRLA Rechargeable Battery |
| BP1042 | 制造商:RFM 功能描述: |
| BP1042A | 制造商:RFM 制造商全稱:RF Monolithics, Inc 功能描述:70MHz SAW Filter |
| BP1045A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| BP-1048 | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
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