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參數(shù)資料
| 型號： | BM29F400T-12TC |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 23/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 265K |
| 代理商： | BM29F400T-12TC |
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BRIGHT
Microelectronics
Inc.
BM29F400T/BM29F400B
A Winbond Company
- 23 -
Publication Release Date: December 1999
Revision A2
AC CHARACTERISTICS
Read-only Operations
PARAMETER
SYM.
DESCRIPTION
TEST SETUP
-90
-120
-150
UNIT
JEDEC
tAVAV
tAVQV
Standard
tRC
tACC
Read Cycle Time(2)
Address to Output Delay
Min.
Max.
90
90
120
120
150
150
nS
nS
CE
= V
IL
OE = V
IL
OE
= V
IL
tELQV
tGLQV
tEHQZ
tCE
tOE
tHZ
Chip Enable to Output Delay
Max.
90
120
150
nS
Output Enable to Output Delay
Chip Enable to Output High
Z
(3,4)
Output Enable to Output High
Z
(2,3)
Output Hold Time from
Addresses,
CE
or
OE
,
Whichever Occurs First
Max.
Max.
35
20
50
30
55
35
nS
nS
tGHQZ
tDF
20
30
35
nS
tAXQX
tOH
Min.
0
0
0
nS
tREADY
RESET
Pin Low to Read
Mode(4)
Max.
20
20
20
mS
tELFL
tELFH
CE
to
BYTE
Switching Low or
High
Max.
5
5
5
nS
Notes:
1. Test Conditions: Output Load: 1 TTL gate and 100 pF
Input rise and fall times: 20 nS; Input pulse levels: 0V to 3 V
2. Timing measurement reference level
Input/Output: 1.5V
3. Output driver disable time.
4. Not 100% tested.
UNDER
TEST
C
L
6.2 KOhm
IN3064 or
2.7 KOhm
Diodes = IN3064
5.0 V
Figure 7. Test Condition
Note: CL = 100 pF including jig capacitance.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BM29F400T-15TC | x8/x16 Flash EEPROM |
| BM29F400T-90TC | x8/x16 Flash EEPROM |
| BMS-SAX300MM | GUIDE PCB 300MM STRIP |
| BN101 | Optoelectronic |
| BN201 | Optoelectronic |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BM29F400T-15TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| BM29F400T-90TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| BM-2A | 制造商:Anderson Power Products (APP) 功能描述:BENCH MOUNT |
| BM-2BK | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CASE DESKTOP |
| BM2LB150FJ-CE2 | 功能描述:2CH LOW SIDE SWITCH IC, 150M OHM 制造商:rohm semiconductor 系列:* 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOP-J 標準包裝:1 |
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