參數(shù)資料
型號(hào)： BLW898
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF linear power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-171A, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 102K
代理商： BLW898
1996 Jul 16
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF linear power transistor
BLW898
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
18
MAX.
1.5
3
140
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CEO
h
FE
C
c
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage
emitter-base breakdown voltage
collector-base leakage current
collector-emitter leakage current
DC current gain
collector capacitance
I
C
= 15 mA; I
E
= 0
I
C
= 30 mA; I
B
= 0
I
E
= 0.6 mA; I
C
= 0
V
BE
= 0; V
CB
= 28 V
V
CE
= 20 V
V
CE
= 25 V; I
C
= 1.1 A
V
CB
= 25 V; I
E
= i
e
= 0;
f = 1 MHz
V
CB
= 25 V; I
C
= 0; f = 1 MHz
60
28
2.5
30
V
V
V
mA
mA
pF
C
re
feedback capacitance
11
pF
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 25 V; t
p
= 500
μ
s;
δ
= <1 %.
handbook, halfpage
0
1
hFE
2
IC (A)
3
120
40
0
80
MGD532
Fig.4
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
I
E
= i
e
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
0
Cc
(pF)
40
20
0
10
20
40
MGD533
30
VCB (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLW90 UHF power transistor
BLW97 HF power transistor
BLW98 UHF linear power transistor
BLX94C UHF power transistor
BLX98 TRANSISTOR | BJT | NPN | 27V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-48B
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參數(shù)描述
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BLW96/01,112 功能描述:射頻雙極電源晶體管 Dual N-CH 340W 10mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW96/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR RF SOT-121
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